极端 EUV 芯片制造

劳伦斯利弗莫尔国家实验室 (LLNL) 和 ASML 持有 NV （链接是外部的） (ASML) 成功地建立了对下一代半导体制造的等离子体模拟能力，以推动极紫外 (EUV) 光源。

下一个合作研究和开发协议 (CRADA)，ASML 利用 LLNL 的专长在激光和等离子体物理和执行复杂的大规模的建模与仿真使用高性能计算 (HPC) 的能力。这些联合的资源将使高效和经济试验的新方法针对进一步优化转换效率、 增加源动力和最小化锡碎片。

“合并的专门知识，我们表现出了由 LLNL 的计算机代码可以准确地模拟 ASML 的实验数据从其 EUV 光源，”说史蒂夫 · 兰格，计算物理学家和项目用于铅 LLNL。”现在，仿真结果和实验数据一致的我们更好地了解的 EUV 代物理，并可以开始深入了解什么使得执行好或不好的光源。

ASML 的圣地亚哥研发和制造工厂专业生产的光源在光刻技术扫描仪内使用。ASML 的复杂系统图像在硅晶片表面，建立数十亿的晶体管和电路元件层又一层，使集成电路或微芯片，为半导体行业的模式。其下一代 EUV 技术将使芯片制造商增加的晶体管数量，并显著提高性能的超级计算机和电子产品。

EUV 光时高强度二氧化碳激光脉冲命中液滴的锡，加热后成为等离子体 （电离气体） 产生。等离子发射极紫外辐射，然后收集和转移到刻扫描仪，它用来暴露硅晶片。为了增加 EUV 电源，ASML 研究者转向高保真电脑模拟，以更好地了解激光产生的等离子体物理和填补空白的具有挑战性的实验室实验。

“我们期望我们与 LLNL 的研究伙伴关系将帮助我们迅速放大到最有前途的技术发展途径，并因此缩短，市场对于未来大功率 EUV 源，”说迈克尔 · 维斯，ASML 的资深科学家。”我们已经把延长我们的锡的知识建模答应帮助推进 EUV 的努力我们联合通过等离子体功率为大批量制造环境.”

为了成功地建立准确预测的仿真，ASML 同 LLNL 的高性能计算创新中心 (HPCIC) 和国家点火设施 (NIF) 和光子科学局先进光子技术 (APT) 计划，以获得世界级的超级计算机，软件和深域的知识，以及先进的计算技术的应用经验。利弗莫尔 HPC 能力和熟悉高能量密度物理发生在激光驱动聚变实验在 NIF 证明直接适用于 ASML 的先进 EUV 光刻技术开发研究中遇到的技术难题。

“这是一幢典型的如何专业知识和能力跨越 LLNL 可以成功地用来与领先业内专家强烈着重于光子源的重视提高到商业部门和更广泛的社会，”说克雷格学派，商业技术发展 NIF 和光子科学先进的光子技术在程序中的领跑者。

“阿斯麦公司与我们合作是如何领先公司的只是一个例子可以与劳伦斯利弗莫尔的世界一流的 HPC 资源推进广泛受益计算行业作为一个整体，以及帮助维持在科学和技术，美国领导的技术合作，”添加 HPCIC 主任弗雷德斯特赖茨。

国家能源研究科学计算中心 （链接是外部的） 劳伦斯伯克利国家实验室的计算机科学家将利用他们的专业知识建模软件开发支持 LLNL ASML CRADA 的激光等离子体中。