过程使更小、 更便宜的芯片

加利福尼亚州圣何塞 — — 伯克利分校研究人员描述他们说削减成本和时间的领先优势芯片制造同时创建功能小于当今最先进的工艺技术。所谓倾斜离子植入 (TII) 创建进程功能尽可能小 9 毫微米。

实验室的工作表明能降低的迅速增加的成本和复杂性的制造芯片，摩尔定律在减缓了进展。然而，目前尚不清楚是否芯片制造商将采用这项技术。

“我们一直用氩离子选择性地损坏的二氧化硅层，某些部件”说郑鹏，第一作者的论文发表在最新一期的电子器件汇刊。”它自对准，倒与预先存在的面具的功能，所以它不会有问题的 [存在] 乐乐 [方法] 在哪里失调是一个杀手。”

该方法可以减少 50%的折扣在 16 今天使用的广泛使用自对齐述双图案 （来华考察专家进行） 技术的成本 nm 和超越同时提高吞吐量高达 35%，他说。

“植入是很便宜……与来华考察专家进行，相比，其多层沉积和清洗过程中，”他说，注意到来华考察专家进行还需要相对较昂贵的材料，使其经得起处理在 150 ° c。

在本文的 9 纳米特征尺寸表明 TII 可以用于创建 18-20 纳米球。相比之下，台积电表示，其最小的球场，到目前为止是 40 毫微米为 M0 层在其 7 纳米的过程，本文在最近的电子器件事件。

技术是第一次所述 2015年至两纸的支持者，应用材料和林的研究。去年在光刻技术会议介绍了实验室演示的结果。