OFC 辩论路到光子集成电路

圣何塞 — — 电子和光学元件注定要合并，但每年的 OFC 事件救活了辩论硅光子学 (SiP) 或磷化铟 (InP) 是否最佳路径。

帮助开发光子学在欧洲中铸造生态系统学术研究员写成了 InP 为基调。但一些分析师说︰ SiP 将更有可能是赢家。

各方同意日益增长的需求，更多的带宽在未来五年内将开车去新光电接口。他们可能需要尽快 400 G 后两代人在 OFC 显示了广泛的系统显示基底今年和预计到 2019 年船舶在卷。

25.6-Tbits/s 开关芯片出现在 2020 年前后将需要光学接口，去年预测硅光子学的书的作者。星载光学可能须尽早为 2021 年，说网络元老，安德烈亚斯 Bechtolshiem，在最近的谈话，呼吁 800 G 以太网标准，也许最后使用离散的光学模块。

磷化铟是卓越的技术为一体，尤其是对核心激光光源，但它需要拥抱高容量硅技术来降低成本的 SiP，水平说 Meint K.Smit 中 OFC 基调。

InP 擅长在最技术领域，Smit 说。(图片︰ OFC)

Smit，InP 专家艾恩德霍芬技术大学的领导作出 350 InP 设备迄今为止欧洲计划。他们包括来自多家公司，如 180-和 320-Gbit/s 波分多路复用变送器的商业产品。

节目汇集了铸造厂、 工具制造商和光子学设计师。它创造了验证的库的光学元件和磷化铟工艺设计套件，启用测试设备多项目晶圆上的 — — 和它正在推动移动从 4 到 6 英寸晶圆。

然而，Smit 承认，SiP 具有更低的成本，如英特尔具有访问权限的支持者给予大 8 英寸晶圆厂。”它是一个复杂的景象，还有所有没有单一的解决方案……[结束]，InP 与硅电子和 SiP 可能工作在一起，”他说。