阻尼给出了一个更快的开关

所需的磁记忆有超低功耗优化材料属性标识使用模拟由研究员 A * 星。

随机存取存储器或 RAM，是大多数计算机的重要因素。内存设备存储到完整流程系统所需的信息。此信息可以写入和检索从随机存取存储器以多快的速度比其他数据存储介质，意味着可以更快地完成计算过程。

大多数内存器件集成电路中电存储数据。然而，磁存储信息能够更快地操作，制作更快的计算机。另一个特点是磁性随机存取存储器 (MRAM) 非易失性 — — 这意味着，常规电气与 RAM 不同，它时不会丢失其数据设备电源关闭。MRAM 将数据存储为磁化铁磁膜中的方向。开关，磁化强度，并从而将内存从一个二进制状态改变到另一个，可以通过只施加磁场，但这需要大量的电力。

BingJin 陈和固肠韩从 A * 星数据存储研究所使用微磁模拟调查-电场辅助的磁化磁性随机存取存储器中切换。他们找出所需的最小化开关时间的理想材料属性。”我们显示一个可靠的磁性开关可以发生在电场辅助开关五毫微秒内并没有其他外部驱动力需要的”说陈。

电场辅助开关工作因为应用的电流改变铁磁材料，使它更易磁化强度变化的磁特性。小的磁场与当前，称为奥斯特场，然后是足以切换磁化。

仿真结果表明，称为磁阻尼材料性能重要优化的开关时间。阻尼是领域深入渗透入材料在磁场力量减少。陈和韩显示的开关时间随阻尼常数和奥斯特场的强度增加。结果表明，当选择最佳阻尼常数的铁磁材料，开关的电场辅助磁随机存取记忆体可能是一样快三毫微秒。

陈表示，”我们希望能将我们的研究从两个终端设备同时读取和写入数据使用相同的连接到更稳定的三端内存结构中的这两种路径分隔开，移”。