2020三星的目标4nm

三藩&mdash；星期三三星电子有限公司（5月24日）更新了其铸造工艺路线图，其中包括它的第二代FD-SOI平台，几个体硅FinFET工艺降到5nm和4nm的&ldquo；后FinFET &rdquo；结构工艺将生产2020风险。

三星，正式打破了铸造操作为一个独立的业务单元称为三星代工上周也重申了此前宣布的计划将极紫外光刻（EUV）投产2018在7nm节点。

“我们非常积极地与我们的路线图，不仅在规划，但在宣布我们将要做什么，在未来三至四年，”Kelvin Low说，铸造营销高级总监三星，在接受采访时提前星期三的公告。

最具前瞻性的三星&rsquo；星期三的公告，并在公司公布的年度美国铸造技术论坛；在圣克拉拉，Calif.，是公司的专有的下一代设备；建筑，它被称为多桥沟道场效应晶体管（mbcfet）。结构描述为三星&rsquo；的专有的味道全FET的栅极（gaafet）技术，采用纳米片装置克服了FinFET架构的物理尺度和性能的局限性。

三星&rsquo；的路线图将mbcfet技术风险生产其在2020 4nm低加（LPP）过程。

现在至2020年间，三星计划把生产8nm LPP过程今年2019 7nm LPP EUV工艺为明年和5nm和6nm的LPP过程。

③、长答应经常推出成功的193nm沉浸式光刻的光刻技术，最后似乎是被插入到生产的边缘。台湾半导体制造有限公司（TSMC）和GlobalFoundries，三星&rsquo；的主要代工竞争者，都宣布他们的意图，在2019生产的EUV使用。

三星展示了EUV电源在发展过程中的250w生产目标。据Low，“神奇数字”与EUV生产力是每天1500晶圆。三星已经超过1000晶圆，每天有高度的信心，每天1500晶圆是可以实现的，Low说。

kinam基姆，三星半导体事业部总裁，奠定了公司的铸造工艺路线图在公司铸造论坛在圣克拉拉，Calif.，星期三。

“我们有信心，我们准备把[ EUV ]到生产在2018，”Low说。这不再是一个概念路线图项目；

Low称，三星与一些竞争对手，看到10nm节点作为&ldquo；长期结&rdquo；，将为客户提供所需的性能和功耗上领先的设计相当长的一段时间。

“只要我们能够在生产中提供动力、性能和缩放，我们认为这将是一个非常多产的节点，”Low说。

三星还详细18nm FD-SOI工艺技术生产有针对性的风险2019。公司计划逐步扩大其目前的28nm FD-SOI的过程变成一个更广阔的平台，通过将射频和嵌入式MRAM选项前发行的第二FD-SOI的平台，它将提供一个节省百分之40的电力，百分之20的性能提升和面积的优点。

&mdash；Dylan McGrath是EE Times主编。