大部分2017的资本支出将用于铸造和闪存。

继今年上半年半导体资本支出大幅增加，IC Insights上调年度半导体资本支出的预测为创纪录的809亿美元的2017，在2016个从673亿美元增加20%。此前，2017半导体资本支出预计将增长12%，在2017至756亿美元。

有超过一半的2017的资本支出用于晶圆代工厂的预测（28%）和NAND闪存升级（24%），如图1所示。&nbsp；与预计的53%的增长2017，DRAM和SRAM段预计于今年的主要产品类型的资本支出显示最大百分比增长。&nbsp；DRAM价格飙升自2016第三季度，DRAM厂商再次加大在这一领域的支出。虽然大部分的支出正在朝着技术进步方向发展，但DRAM生产商SK海力士最近承认，它不能再仅仅依靠技术进步来满足需求，而且需要开始增加晶圆的启动能力。SMT贴片加工

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图1

即使今年DRAM消费激增，2017的闪存（190亿美元）的资本支出预计仍将大大高于分配给DRAM / SRAM类别的支出（130亿美元）。总的来说，IC Insights认为，基本上所有的闪存2017的支出将致力于3D NAND技术，包括三星的巨大的新工厂在平泽的3D NAND生产，韩国。

总的来说，对Flash存储器段的资本支出预计将在2016的强劲增长23%后，2017 33%浪涌登记。&nbsp；然而，在内存市场的历史先例表明，太多的花费通常会导致产能过剩和随后的定价不足。&nbsp；与三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西数/闪迪，和XMC /长江所有存储技术计划大幅增加3D NAND闪存容量在未来的几年中（新的中国生产商可能进入市场），IC Insights认为，过度的3D NAND闪存市场需求的未来风险是越来越高。