与对齐接口半导体

两宽禁带半导体材料之间的界面的电子特性是由研究人员在KAUST的确定，提供一个深入了解，将有助于提高发光效率和高功率电子器件。

半导体，例如硅和氮化镓，在导体和绝缘体之间有某种电学性质。它们只允许电流流动，当电子有足够的能量来克服称为带隙的势垒时。能直接或间接、窄或大的禁带决定了半导体的性质及其应用。PCBA加工

例如，带隙较大的材料在高功率电子器件中很有用，因为与窄禁带材料（如硅）相比，它们对节能晶体管具有更大的击穿电压。它们还可以在光谱的紫外线部分产生光线，使之用于消毒和水净化。

这些材料可以通过将不同的半导体层叠在一起以创建所谓的异质结构以获得所需的特性而进一步适应特定的应用。但至关重要的是要了解两种半导体的带隙调整时，半导体是这样了。

海鼎太阳和主研究员萧航丽从KAUST和同事从乔治亚理工学院，美国，报告说，他们的实验测量两个新兴大带隙材料的排列：硼氮化铝和氮化铝镓。

2014届诺贝尔物理奖获得表彰了氮化镓发光二极管的发展。但是，相比于氮化镓、氮化铝具有更大的带隙为6.1电子伏特。它的电子特性可以通过用硼或镓代替晶体中的铝原子来进行调谐。

团队创建了一个界面硼氮化铝与硼对14:86铝对氮化铝覆盖蓝宝石基板氮化镓比30:70氮化镓铝原子比。

他们用高分辨率X射线光电子能谱测量的顶部和底部的两个材料的带隙之间的偏移量。他们表明，带隙有交错排列，与顶部和底部边缘的带隙的al0.7ga0.3n低b0.14al0.86n比各自的边缘。

“根据实验结果，我们可以在这种结中实现高得多的二维电子气载体浓度。”孙说。“对b0.14al0.86n/al0.7ga0.3n异质结能带结构的测定提供了基于这种连接的光学和电子器件的设计提供支持。”