闪存仍是资本支出的主要目标

预计半导体行业将在2019年再次将其资本支出的最大部分分配给闪存，这标志着闪存连续第三年引领所有其他领域的支出。闪存在2016年的资本支出中落后于铸造部门，但在2017年实现了更大的增长，增长了92%至276亿美元，并在2018年增加了16%至319亿美元，原因是制造商为满足不断增长的需求而扩展和升级了其3D NAND生产线。随着大部分扩展现在已完成或预计将被包装成p 2019年，闪存资本支出预计今年将下降18%，至260亿美元，这仍然是一个非常健康的支出水平。

-2018年，SK Hynix在韩国清州完成并开设了M15新晶圆厂。工厂生产的第一批设备是72层3D NAND闪存。

-美光公司分配了大量资源升级其在新加坡的两个现有闪存晶圆厂，并在新加坡建立了第三个NAND晶圆厂。

-东芝内存于2018年1月在其Yokkaichi工厂完成了一个新的300毫米晶圆厂（Fab6）的建设。该工厂第一阶段的运营预计将于2019年初开始。此外，东芝宣布，其继Fab6之后的下一个闪存厂将位于岩手北上。该公司于7月2日在该工厂破土动工。018。

-清华统一集团旗下的XMC/长江存储技术（YMTC）完成了新工厂的建设，安装了设备，并开始了32层3D NAND闪存的小批量生产。

-三星和所有其他“传统”闪存供应商都清楚中国必须在3D NAND闪存市场上扮演重要角色的计划。三星将继续大力投资，以远远领先现有的竞争对手或新的初创企业，并保持其与任何认为自己可以争夺市场份额的人的竞争优势。p；三星在2017年和2018年分别在闪存资本支出130亿美元和90亿美元，占去年闪存资本支出总额319亿美元的28%。IC Insights估计，三星将在2019年再为闪存资本支出70亿美元。