由于供应过剩的恶化，NAND闪存制造商在2019年将资本支出同比减少2%。

Trendforce部门的drameexchange报告称，由于笔记本电脑、智能手机、服务器和其他终端产品的需求前景依然疲弱，全球NAND闪存市场在2018年全年的供应过剩，因此今年将继续面临产能过剩的问题。NAND闪存制造商通过在2019年削减资本支出来放缓产能扩张，旨在通过限制比特产量增长来缓和供应过剩。

Dramexchange表示，由于2018年供应过剩加剧，韩国制造商已采取措施削减NAND闪存资本支出。尽管整个NAND闪存行业的总资本支出已削减近10%，但供应过剩仍在继续。展望2019年，美国制造商还将降低半导体资本支出，预计全球NAND闪存行业的总资本支出将达220亿美元，比2018年下降约2%。

受产能扩张调整的影响，到2019年底，92/96层3D NAND产品将仅占行业总产量的32%左右，而64/72层产品的份额仍在50%以上，尽管主要制造商自2018年第四季度以来已进入92/96层3D NAND的批量生产。随着厂商放缓产能扩张和向先进工艺的迁移，预计2019年NAND闪存的位输出增长率将在38%左右，大大低于2018年的45%以上。

至于制造商的产能调整，Dramexchange指出，考虑到以下两个因素，三星的NAND闪存位输出增长预计在35%左右。首先，三星将继续降低其2d NAND的生产能力。第二，与2018年底相比，运营能力也将下降，因为92层工艺需要更多的车间空间。位输出增长放缓将对全球NAND闪存生产产生巨大影响，因为三星在NAND闪存市场的份额约为30%。

SK-Hynix和东芝/西方数字也有机会看到较小的位输出增长。两家公司分别有新的M15工厂和6工厂，但也会受到减产计划或产能转移到上一代工艺的影响。因此，考虑到需求前景疲弱，DRAMExchange已将其年度比特产出增长预测修正至50%和35%以下，低于先前的50%和40%的预测。

美光在新加坡的新工厂要到2020年才能正式投入量产，因此与4Q18相比，该公司2019年每月的晶圆产能将保持不变。英特尔计划在大连工厂实现满负荷生产，但没有其他扩容计划。2019年，美光和英特尔的联合比特产量将增长近40%，明显低于2018年的45%。

就2019年NAND闪存价格趋势而言，各产品线的报价将明显比DRAMExchange先前的预测大幅下降，表明制造商面临的库存过剩。DrameExchange预计，第1季度季度环比下降20%，高于此前预测的10%，第2季度环比进一步下降近15%。对于2009年下半年，考虑到旺季的到来，价格下跌可能会稍微放缓，但价格将继续每季度下跌约10%。制造商是否能够进一步限制其钻头产量增长，仍有待观察。总之，根据DRAMExchange的计算，2019年NAND闪存的平均价格将下降近一半。