胳膊描述 10nm 测试芯片
奥斯汀，德克萨斯州 — — 手臂宣布它一月份在台积电贴出 10nm FinFET 测试芯片。过程中取得的芯片将手机年底手臂说，降低功率描述节点作为相对昂贵，重点突出。
测试芯片架构源 ︰ 手臂
ARM 测试芯片中的四个它尚未披露阿尔忒弥斯核心运行在 2.8 g h z，未知的 GPU 和内存子系统中的其他组件。与前一节点，不同台积电 10nm 过程是重点少推性能最大，更多的降低功耗，手臂说。
相比对台积电的皮质 A-72
总功率与 10nm FinFET 性能数据测试芯片相比，16nm FinFET。
来源 ︰ 手臂
阿尔忒弥斯核心本身似乎会集中在降低功耗和基于 ARM 的大小
台积电一直密切与手臂在工艺技术和 IP 在过去的四年。然而，手臂也与三星合作，作为其铸造厂积极推动向其自身 10nm FinFET 进程。
而三星和台积电比赛要向市场与 10nm 节点，摩尔不是第一个
吉姆麦格雷戈，Tirias 研究首席分析师预计，三星和台积电继续战斗出来但也碰到了一些英特尔面临时斜向 14nm 同样的挑战。
节点移动到 10nm 附带额外费用。摩尔说发展 28nm 物理实现的设计成本约 $ 550 万，虽然 10nm 将花费大约 $ 3250 万 — — 8 月 2015 年最初获国际业务战略图。10nm 芯片，需要更多的迭代、 IP 和可能更多的机器时间
哈奇森继续一般设计成本为芯片不应该
在分析师会议上，手臂上个月 didnFD SOI 研讨会。
FD SOI 收养的挑战之一是模拟，射频和支持的各个细分市场，所需的高速接口 IP 摩尔时报 EE，指向在移动，企业需要和嵌入/物联网市场。
手臂已经端口设备到 FD-SOI，Hutchenson 注意到，尽管移植过程比较繁琐。问题不是
开尔文低，铸造营销，三星的高级主管说他的公司有”大量 IPs”为 FD SOI 已测试的产品。GlobalFoundrie
EE 倍。
— — 杰西卡 · 利普斯基，副主编，