门周围所有 Mosfet 与横向硅纳米线在缩放尺寸

2016 专题讨论 VLSI 技术和电路，在纳米电子学研究中心 imec 提出门全周围 (GAA) n 和 p MOSFET 器件的垂直堆叠水平硅 （矽） 纳米线 (NWs) 与直径仅为 8-nm。设备批量, 制备了硅衬底上使用行业有关更换金属门 (RMG) 过程中，有优秀的短信道特性 (SS = 65 mV/dec，漏为 LG = 42 mV/V = 24 nm) finFET 参考设备相媲美的性能水平。

GAA 设备体系结构提供最优的静电控制，从而使最终 CMOS 设备结垢。此外，横向核武器国家是 RMG finFETs，与垂直的核武器国家，这需要更多的突破性技术变化的自然延伸。此外，堆叠的核武器国家最大化驱动电流每单位面积。Imec 成功结合这三个方面，并第一次，表明垂直堆叠水平寺核武器国家在缩放尺寸 ︰ 8 毫微米直径电线、 45 nm 横向间距和 20 nm 垂直分离。

相比传统的批量 FinFET 流，imec 执行流程流中的两个主要区别。首先，浅沟槽隔离 (STI) 在 750 ° C 的致密化导致保持锋利的硅锗 （锗） /Si 接口，这对于良好的硅 NW 控释至关重要。第二，低复杂度地面平面掺杂方案应用，抑制底寄生通道。

“通过演示堆积纳米线与固体静电控制，在缩放尺寸，和使用大容量硅衬底上的行业相关的 RMG 过程，imec 取得了突破性的成果，可以实现子 10nm 技术节点，铺平”imec 指出丹 Mocuta、 主任逻辑器件和集成。”即将研究阶段将集中实现更加密集的音高和利用这些知识来开发门全周围侧纳米 CMOS 器件”。

Imec 的研究先进的逻辑缩放以合作演出，其核心 CMOS 程序包括转给格罗方德、 英特尔、 微米，SK 海力士、 三星、 台积电、 华为、 高通和索尼的 imec 的关键伙伴。

关于 imec

Imec 执行世界领先研究在纳米电子学和光伏发电。Imec 利用其科学知识与创新其全球伙伴关系的力量在信息和通信技术，医疗和能源。Imec 提供行业相关的技术解决方案。在独特的高科技环境中，其国际顶尖人才被致力于构建基块为更好的生活，在一个可持续的社会。Imec 总部设在比利时，并在比利时、 荷兰、 台湾、 美国、 中国、 印度和日本设有办事处。其员工约 2500 人包括约 740 工业居民和客座研究人员。到 2015 年，imec 的收入 (P & L) 总额 4 亿 1500 万欧元。港泉SMT