三星边缘台积电在 10 nm

印第安纳波利斯 — — 三星似乎是大约四分之一之前台湾半导体制造有限公司 （台积电） 的坡道 10 毫微米工艺技术，与一位资深芯片分析师。

今年早些时候，三星和台积电表示，他们将在今年为客户如高通，联发科，第二季和华为的半导体子公司，海思期间发动 10 nm 代工服务。

某种程度上提前，三星上周宣布，他们已经运送 70,000 晶片的 10 nm LPE （早期低功耗） 芯片，独立分析师安德鲁 · 路情报提供商 Smartkarma 的报告中指出。

“三星 10 nm 时间表似乎是台积电的坡道联发科 （后由联发科 10 nm 客户的众多设计双赢取消） 和华为海思/10 nm，”路在报告中说。以前，它被广泛认为台积电在竞争中，根据路。

三星和台积电是几个季度领先于英特尔，将做为 Altera/英特尔、 Netronome 和 LG 电子，根据路 10 nm 铸造厂工作。三星、 台积电和英特尔都在三通的竞赛，争取利润从技术领先的优势。

三星使用 10 纳米的过程，使其自身 Exynos 8895 SoC 以及高通的 Snapdragon 835。假设 Exynos 8895 和金鱼草 835，与模具尺寸的约 150 平方毫米，达到了 70%的收益率，路说，三星应该已运至 1920 万 10 nm Soc，今年迄今是可能会开始今年在 5 月底之前出售银河 S8。

银河 S8 将三星的第一大智能手机后的灾难性的银河 S7，饱受电池爆炸去年召回。根据媒体的报道，可能早在 3 月 29 日释放银河 S8。

堵缺口
三星电子还宣布了另外 8 nm 和 6 nm 工艺技术对其当前的路线图为 10 毫微米和 7 毫微米。

三星 8 毫微米和 6 毫微米将切断台积电的中间节点铅，路说。

不像其他的铸造厂，台积电经常介绍了中间节点技术像 12 毫微米之间 10/16 nm 和 22 毫微米之间 20/28 毫微米争取在性能和成本的竞争优势。

三星的引进中节点技术较少的余地台积电以获得竞争优势，路说。

— — 艾伦 · 帕特森 EE 次涵盖半导体行业。他以台湾为基地。