英特尔加大 3D NAND，NVMe 策略性污水排放计划
多伦多 — — 英特尔的最新”云启发”策略性污水排放计划数据中心是该公司的努力推进 3D NAND 选项的一部分和 NVMe 标准。
Jonmichael 手，英特尔，产品行销经理说，公司的两个新 3D NAND 策略性污水排放计划专为云数据中心方案，但这些条件适用于更多云服务提供商。在 EE 时报 》 电话采访，他说，虽然许多组织花钱更多公共云，”同时，它正朝着私有云的企业”。无论哪种方式，他们正在寻求性能和效率。
英特尔的 3D NAND 策略性污水排放计划旨在融合基础设施部署能力很重要，但也灵活性以便企业可以轻松地重新任务系统的新的工作负载，以及改善 CAPEX 和 OPEX，说手。
直流 P4500 线为读取而优化，旨在帮助数据中心得到更多的价值，从服务器和存储更多数据，说手中，而直流 P4600 系列加速缓存，并使每个服务器的多个工作负载。两者都使用英特尔的薄层色谱法 3D NAND 结合新、 英特尔开发的控制器，新的固件和 PCIe/NVMe。两个系列最初会在半高半身添加在卡和 U.2 2.5 英寸形式因素在 1、 2 和 4 TB 的容量。
英特尔的新固件包括支持 NVMe 管理接口 (NVMe MI) 规范，说手中，并提供可管理性功能来减少服务器停机时间通过改进的更新进程和扩大监测能力，与管理范围现在扩大到范围更广泛的驱动器状态。新的控制器，同时，支持缩放比例高达 16 TB，他说。这就是真的只限制了由量的闪光，你可以在这个形式因素，”他补充说。
手说，英特尔是有信心的 NVMe，前进的动力指出，微软和 Facebook NVM 表达公司董事会席位和所引其可伸缩性，打开标准和灵活的形式因素作为属性通过作出贡献。手说:”这个行业已经选择 NVMe，”。”它是策略性污水排放计划的下一个协议。
手添加所有新 SSD 部署伟聪段是 NVMe，虽然企业整体市场较慢。”拐点发生了，”他说。
手说︰ NVMe 转 SATA 是不可避免的因为旧接口正成为一个瓶颈，而 NVMe 更高的性能，使系统能够从 flash 获取更好的价值。”我们可以充分利用 3D NAND，”他说。”你揭露它上一个界面，旨在为策略性污水排放计划”。
英特尔一直在扩大 Fab 68 在大连，中国，以增加其 3D 的 nand 闪存供应，以更好地满足存储客户的需求。
目的分析首席分析师 Jim Handy 说英特尔最初开发其 3D 的 NAND 技术与微米，选择利用一直比正在使用的其他人一样，有问题的电荷陷阱法更易于管理的浮栅技术合作。”因为英特尔和微米选择不在他们的 flash 中使用电荷陷阱，他们已经能够比其他人更快地提高它，”Handy 说。
这两家公司有联合产品设施，虽然他们的安排给了他们自由来建立他们自己的说 Handy。他说:”英特尔正在加大生产的能力，由其 3D 与微米，生产的成功启用”。
他说︰ 几乎所有的伟聪数据中心使用闪光灯在窗体或另一个。”他们看到它作为获得大多数性能为其美元的路径，”迪说。在大多数情况下它是 flash，DDR 和组合旋转的圆盘，与后者仍然是用于蓄冷，他说，即使在伟聪系统。
在长期来看，它将平面变得踢出局作为 3D NAND 的 nand 闪存成本下来。”一个真正的极限为多少个应用程序，将适用于平面 NAND”Handy 说。虽然它可能会取代 NOR 闪存在某些应用中，那里将障碍所需许可证复杂的软件。
虽然它没有道理来把 3D NAND 放在小 USB 拇指驱动器，它逐步进入端点设备。”限制因素是你可以买到的最小 3D NAND 芯片是 128 Gb 或 16 GB，”迪说。”任何在它得到了小于 16 GB 的东西不会使用 3D NAND。”
— — 加里 · 希尔森是一般重点放在内存和闪存技术 EE 时报 》 特约编辑。
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