第三代半导体材料显示市场潜力
预计5G将于2020进入商业运营阶段，而汽车将变得更加智能化、网络化和电气化，推动了第三代半导体材料的发展。TrendForce估计，收入为SiC衬底和GaN衬底将1亿8000万美元和300万美元分别在2018。
与主流硅基器件相比，SiC和GaN器件更耐高压操作。碳化硅和氮化镓材料在高温和高频两种操作中都优于硅。在锡克和GaN功率器件中，芯片尺寸较小，电路设计简化。其结果是，模块、组件和冷却系统的体积也更小。整个车辆将变得更轻，以这种方式。此外，SiC和GaN的低电阻和低开关损耗特性将是提高汽车电池寿命的关键。因此，SiC和GaN功率器件的发展与电动汽车的发展密切相关。
然而，碳化硅材料仍处于试验和引进阶段。在汽车领域，SiC功率器件只适用于赛车，所以碳化硅为基础的解决方案的输出面积占全球所有汽车动力装置0.1%，根据TrendForce。目前，氮化镓硅基和GaN硅是GaN功率器件的两种主流生产方式。氮化镓在SiC上具有优良的散热性能，适合于高频操作，使其在5G基站中广泛使用。预计未来五年，汽车公司完成测试，5G进入2020的商业运营后，碳化硅基板市场将逐步升级。
GaN衬底的成本仍然很高，因此在当前阶段，GaN衬底的收入远远小于SiC衬底的收入。然而，GaN器件对高频条件的抵抗使他们成为技术公司的焦点。氮化镓碳化硅技术现已应用于高规格产品。另一方面，GaN在SI上更具成本效益，并成为GaN电力设备市场的主流，在电源管理芯片和汽车和智能手机充电系统方面有更高的增长可能性。
第三代半导体材料由于5G和汽车技术的迅速发展显示了市场潜力。制造商已经提供的SiC和GaN器件的代工服务，切割成供应链中像Cree公司，英飞凌，Qorvo，等用以支配。例如，台积电和VIS为氮化镓提供代工服务。“双赢半导体”专注于GaN的5G行业和5G基站带来的商机。此外，X-Fab，汉扬技术和GCS提供SiC和GaN代工服务。铸造服务的发展将推动第三代半导体材料市场的发展。
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