• 雪崩管微波二极管教程

    雪崩二极管教程 理论与操作 结构和制造设备 俘 其他类型的二极管 雪崩二极管或给它的完整名称,影响电离雪崩渡越时间二极管是一种用来产生微波无线电频率信号的射频半导体器件。 与工作频率之间约 3 和 100 g h z 或更多的能力,该微波二极管的主要优点之一就是相对较高功率的能力 (通常十瓦及以上) 时相比,其他形式的微波二极管。 雪崩二极管优点很多,虽然与高稳定频率合成器提供高水平的性能和改善其他半导体技术,近年来它已广泛不。 应用程序 雪崩二极管是理想需要小成本有效的微波无线电来源的地方。发…

    基础知识 2016年5月9日
  • 高亮度 LED、 HBLED 教程

    指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 高亮度发光二极管,也被称为 HBLEDs,现在正进入市场。 正如其名称所暗示这些高亮度发光二极管提供亮度比标准 led 灯的高水平。 由于其性能高亮度 Led 现在正进入地方其他技术有至高无上的统治地位之前的许多领…

    基础知识 2016年5月9日
  • LED ︰ 发光二极管技术教程

    指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 LED 或发光二极管技术广泛应用于今天的电子设备。不只如此,但 LED 技术的发展近几年,除了作为电子设备的一项指标,该技术在显示以及照明用。 快速发展带来了关于什么是 LED 技术可能被用于下一步的问题。 其实远…

    基础知识 2016年5月9日
  • 激光二极管技术教程

    激光二极管技术 激光二极管类型 结构和材料 理论与操作 规格及特点 一生,失败和可靠性 其他二极管 半导体激光二极管技术是在今天在电子行业的许多领域中广泛使用。 激光二极管技术,与激光二极管提供发展激光灯的成本有效和可靠的手段上,目前运作良好。 被贷款本身在许多领域的电子从 CD、 DVD 和其他形式的数据存储通过电信链接中使用的激光二极管,激光二极管技术提供发展相干光十分便利手段。 激光二极管概述 激光二极管用于电子从国内的设备,通过执行哈希算法的工业环境的商业应用的所有领域。激光二极管在所有…

    基础知识 2016年5月9日
  • MOSFET是什么:基础知识教程

    场效应管概述&类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管,场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 所有类型的FET今天广泛应用的电子元件。对所有类型的MOSFET场效应管,可能是最广泛使用的。 尽管MOSFET已使用多年,这些电子元件仍然在今天的电子场景的一个非常重要的因素。不仅在许多电路中的分立元件MOSFET,但他们也形成了大部分的基础上今天的集成…

    基础知识 2016年5月9日
  • 光电二极管技术

    光电二极管基本知识 针 / PN 二极管 雪崩光电二极管 肖特基二极管 光电二极管结构及材料 光电二极管操作及理论 其他二极管 光敏三极管 光电二极管广泛应用在电子行业中各种从探测器在 CD 播放器到宽带光通信系统的领域内。 光电二极管技术的成功归功于其简单、 低成本而又坚固的结构。尽管这 30 GHz 和更多的速度有报道最新的光电二极管技术,显示技术可以达到多少。 光电二极管的历史与发展 光电二极管技术发展出来,1940 年代在认真开始 PN 结二极管的基本发展。应用程序使用的 PN 结二极管…

    基础知识 2016年5月9日
  • BARITT 二极管教程

    BARITT 二极管教程 其他二极管 BARITT 二极管或屏障注射渡越时间二极管有许多相似之处到雪崩二极管的使用范围更广。 像雪崩二极管更熟悉的情况下,BARITT 用微波信号的产生,往往在应用包括防盗警报系统等,在那里它很容易能够制造简单的微波信号与噪声相对较低水平。 BARITT 基础知识 BARITT 是非常相似,在许多方面与雪崩,但主要的区别是 BARITT 二极管使用热电子发射,而不是雪崩倍增。 使用这种形式的优点之一是排放的,过程是排放的远远更少噪音,因此 BARITT 不会遭受同…

    基础知识 2016年5月9日
  • 半导体 PN 结二极管理论

    半导体基础知识 电子和孔 半导体类型 PN 结 请参见 二极管类型 晶体管 半导体二极管理论是在很多当今电子工业的中心。其实半导体技术是目前几乎每一个区域的现代技术,如半导体理论是非常重要的元素的电子。 半导体技术中的基本结构之一是 PN 结。它是半导体二极管和晶体管和其他电子元件的数目的基本构造块。 半导体二极管具有宝贵的财产,电子在一个方向只流动越过它,因此它作为整流器。因为它具有两个电极接收它的名字 — — 二极管。有见及此,它是在半导体技术中的最基本的结构之一。广大的二极管制造每年和半导…

    基础知识 2016年5月9日
  • 理解场效应管规范

    FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET 有多种规格定义的参数场效应管。 此数据可供在 FET 数据表,但这些规范不总是定义的或如果他们定义了,他们不总是解释可以理解的方式。 正如预料的有很多不同规格定义的设备性能的 FET 数据表中。这些范围从执政可以实现,到定义的最大电压水平,最大电流…

    基础知识 2016年5月9日
  • 双极型晶体管 BJT 教程

    晶体管基础知识 晶体管结构 晶体管的工作原理 晶体管编号代码 晶体管数据表参数 双极型晶体管,晶体管,是很多当今半导体电子行业的基石。 这种形式的晶体管已经存在了许多年,仍然非常广泛应用于电子线路。 双极晶体管是非常多才多艺并给出应用在很多应用程序和频率范围广。 在 PCB 上的现代表面贴装晶体管 双极晶体管电路符号 晶体管的电路符号是看到很多的电路中。 电路符号显示的三个连接到晶体管,即 ︰ 基地,集热器和辐射源。 基地是连接,连接到该中心在符号内的主要元素。发射器是进入角线和它有一个箭头。外…

    基础知识 2016年5月9日
  • 肖特基势垒二极管教程

    肖特基二极管教程 肖特基二极管技术与结构 肖特基二极管特性及规格 肖特基二极管整流器 其他二极管 肖特基二极管或肖特基势垒二极管是一种电子组件,广泛用于无线电频率,作为一个搅拌机或探测器的二极管 RF 应用。 二极管也在功率应用中用作整流器,又由于其低的正向电压降的功率损耗与普通 PN 结二极管相比更低级别的领导。 虽然通常被称为肖特基二极管肖特基,命名的这些天它有时也称为表面势垒二极管,作为热载体二极管或甚至热电子二极管。 发现与引进 尽管事实上肖特基势垒二极管在当今高科技电子产品现场有很多应…

    基础知识 2016年5月8日
  • LED 发光二极管类型概述

    指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 LED 技术现在已经发展到了那里有几种不同类型的 LED。 这些不同类型的 LED 已发现应用程序在各种领域,特别适用于一个给定的区域的每个类型。 因此,近年来,允许有相当程度的增长,并使 Led 增长最快的部门之…

    基础知识 2016年5月8日
  • PN 结二极管

    PN 结二极管 二极管类型概述 二极管规格 耿氏二极管 雪崩二极管 激光二极管 光电二极管 PIN 二极管 肖特基势垒二极管 阶跃恢复二极管 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 发光二极管,领导 半导体二极管广泛应用在电子和半导体行业。 它用在它自己的权利,和它是 PN 结晶体管和许多其他半导体器件的关键元素。 然而作为一个离散的组件它也是许多电子线路,正在使用中其自身权利的关键之一。 二极管可以为整体的各种应用程序从非常低功率信号应用到电力整顿等制造。技术的使用也可能不同,因此有许多不同类型的…

    基础知识 2016年5月8日
  • 不同类型的二极管 ︰ 摘要

    PN 结二极管 二极管类型概述 二极管规格 耿氏二极管 雪崩二极管 激光二极管 光电二极管 PIN 二极管 肖特基势垒二极管 阶跃恢复二极管 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 发光二极管,领导 有许多不同类型的可供电子设计中使用的二极管。 不同的半导体二极管类型可以用于执行不同的功能,由于这些不同的二极管类型的属性。 半导体二极管可以用于许多应用程序。基本的应用程序很明显是要纠正波形。这可以用在电源供应器或无线电探测器内。信号二极管可还用于许多其他职能中电路”单程”二极…

    基础知识 2016年5月8日
  • 晶体管规格和参数定义

    晶体管基础知识 晶体管结构 晶体管的工作原理 晶体管编号代码 晶体管数据表参数 晶体管广泛提供了五十多年了。由于各种各样的晶体管是可用的。选择新晶体管或晶体管替换现有的电路,它有必要看看晶体管晶体管规格表晶体管的绩效评估中的参数。 为了简化几乎总是使用晶体管规格表或数据表标准参数的使用。这些启用不同的晶体管,要比较的性能。它们也使晶体管参数来定义可以很容易理解的方式。晶体管规格表可在互联网上,或者他们可能会发现在晶体管手册厂家出具的多年。今天,大部分的晶体管数据是可用制造商的互联网网站作为本文基…

    基础知识 2016年5月8日
  • TRAPATT 二极管教程

    雪崩二极管教程 理论与操作 结构和制造设备 俘 其他类型的二极管 TRAPATT 或被困,等离子体雪崩触发过境二极管属于同一基本家庭作为雪崩二极管。 然而 TRAPATT 具有很多优点,由于它用在大量的应用程序。 本质上是 TRAPATT 通常用作一种微波振荡器,,但有的更高水平的效率 — — 通常对射频信号转换效率 DC 可能在该地区的优势。20 至 60%。 TRAPATT 基础知识 俘围绕着最初的概念的雪崩。然而为 TRAPATT,交界处和阳极之间的掺杂水平。 通常的设备建设包括 p + …

    基础知识 2016年5月8日
  • 有机 LED、 OLED 基础教程

    指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 有机发光二极管或发光现整体 LED 建立的地区市场。 OLED 的使用在很多应用程序从电视设置屏幕和电脑显示器,以及其他小型的便携式系统屏幕如移动智能手机到手表、 广告、 信息和指示。Oled 也在大面积发光元件用…

    基础知识 2016年5月8日
  • 晶体管及二极管编号系统及代码

    晶体管基础知识 晶体管结构 晶体管的工作原理 晶体管编号代码 晶体管数据表参数 有两种主要的编号系统,半导体二极管、 晶体管和场效应晶体管。 一个编号或代码系统在欧洲和其他在美国更广泛地使用。 基于欧洲的系统被称为亲电子系统,有时也可以写成 Proelectron 系统和更为广泛的在北美是 JEDEC 编码系统。 使用亲电子数字和 JEDEC 系统有不同的格式,如下图所示 ︰ 亲电子编号或编码系统 Pro-Electron Numbering or Coding System for Diode…

    基础知识 2016年5月8日
  • 光的电阻器,光敏电阻或光电池

    电阻器类型 碳组成 碳膜 金属氧化膜 金属膜 可变电阻器 热敏电阻 光电阻器 压敏电阻 电阻颜色代码 标准电阻值 E 系列电阻值 请参见 贴片电阻 MELF 电阻 光的电阻器,LDR,是许多常见的名称包括光敏电阻、 照片电阻、 感光、 光电导的单元格或简单的光电池。它可能是最广泛的数据和指令表中的属性用于国内设备术语光电池。 光敏电阻或光电阻器,LDR,发现许多用途作为一个低成本的光敏感元素,用于照相测光表以及其他应用程序如火焰、 烟雾和防盗探测器、 读卡器和照明控制路灯的许多年。经常在文献中光…

    基础知识 2016年5月8日
  • 热敏电阻器教程

    热敏电阻 NTC 热敏电阻器 PTC 热敏电阻器 热敏电阻规格 请参见 电阻器类型 可变电阻器 光电阻器 电阻颜色代码 标准电阻值 E 系列电阻值 名称热敏电阻是缩短单词热敏感电阻。这描述热敏电阻的行动特别好。 今天,热敏电阻在种类繁多的设备从温度传感器通过提供温度补偿在电子线路中使用。 如热敏电阻器广泛应用于电子,虽然他们显然不像通常用作普通电阻、 电容、 晶体管。 热敏电阻电路符号 热敏电阻被公认的内部电路由其自身电路符号。热敏电阻电路符号使用的标准电阻器矩形作为其基础,然后有一条对角线通过…

    基础知识 2016年5月7日
  • BGA焊接工艺和焊接BGA部件

    与今天的电子印刷电路板和由此产生的非常高磁道密度的增加组分的密度,在许多板连接已经成为一个问题。甚至迁移到为PCB无法克服许多问题层的更大的数字。为了帮助解决这个问题被称为球栅阵列集成电路封装,BGA进行了介绍。的BGA元件为许多电路板提供一个更好的解决方案,但焊接BGA元件时,保证了BGA焊接过程正确的是需要护理和该可靠性至少保持或优选改进。 什么是球栅阵列? 在球栅阵列或BGA,是一个非常不同的包到那些使用销,如四方扁平封装。BGA封装的管脚排列成网格图案,这产生了名称。除了这一点,而不是具…

    SMT技术, 基础知识 2016年5月7日